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FDN360P

FDN360P

厂商名称：ON安森美

FDN360P图片

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，P沟道，30 V，2 A，0.08 ohm，SOT-23，表面安装

英文描述：

Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

数据手册：

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FDN360P概述

FDN360P是一款表面安装单P沟道PowerTrench MOSFET，superSOT-23封装.PowerTrench工艺可以最大限度地降低导通电阻，并保持较低的栅极电荷，实现卓越的开关性能.该器件非常适合低电压和电池供电的应用.

FDN360P中文参数

通道类型	P	最大栅源电压	-20 V、+20 V
最大连续漏极电流	2 A	每片芯片元件数目	1
最大漏源电压	30 V	最低工作温度	-55 °C
封装类型	SOT-23	最高工作温度	+150 °C
安装类型	表面贴装	晶体管材料	Si
引脚数目	3	长度	2.92mm
最大漏源电阻值	80 mΩ	典型栅极电荷@Vgs	6.2 nC @ 10 V
通道模式	增强	系列	PowerTrench
最小栅阈值电压	1V	高度	0.94mm
最大功率耗散	500 mW	宽度	1.4mm
晶体管配置	单

FDN360P引脚图

FDN360P引脚图

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